Con el apoyo del MOST, la Universidad Nacional Cheng Kung (NCKU, por sus siglas en inglés) y el Centro Nacional de Investigación en Radiación de Sincrotrón (NSRRC, por sus siglas en inglés), un equipo de investigación encabezado por el profesor Wu Chung-lin de la NCKU y el científico Chen Chia-hao del NCRRC desarrolló un diodo monocapa bidimensional (2D). Posteriormente, los resultados de la investigación de dicho equipo aparecieron en la prestigiosa revista Nature Communications el 7 de agosto.
En comparación con los semiconductores de silicio comunes, donde el tamaño del canal del transistor ha alcanzado un límite de 3 nm, el novedoso diodo monocapa es más delgado, pequeño y rápido. Como resultado, tiene el potencial de ir más allá de la ley de Moore y satisfacer las necesidades de fabricación de una nueva generación de circuitos integrados capaces de ahorrar energía, añadió el MOST.
La ley de Moore fue propuesta por el cofundador de Intel Gordon Moore en 1965. Desde entonces, ha sido un principio inamovible en el desarrollo de la industria de los chips para equipos electrónicos.
Sin embargo, en los últimos años se ha alcanzado el límite físico en el tamaño del canal del transistor y los desafíos consiguientes a los que se enfrenta la industria de los semiconductores han planteado dudas sobre si la velocidad de innovación sugerida por la ley de Moore podría haber llegado a su fin.
Morris Chang, fundador de Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) -el mayor fabricante contratista global de chips por contrato-, afirmó en 2017 que es probable que la ley siga siendo relevante durante 10 años más.
